借阅：0人
收藏：0人
纳米集成电路FinFET器件物理与模型
- 查看机读格式
/(美) 萨马·K. 萨哈著 ;丁扣宝译
ISBN/ISSN：978-7-111-69481-6
价格：CNY119.00
出版：北京 :机械工业出版社 ,2022
载体形态：xiii, 238页 :图 ;24cm
丛编：集成电路科学与工程丛书
简介：本书主要内容有：主流MOSFET在22nm节点以下由于短沟道效应所带来的缩小限制概述；基本半导体电子学和pn结工作原理；多栅MOS电容器系统的基本结构和工作原理；非平面CMOS工艺中的FinFET器件结构和工艺技术；FinFET基本理论；FinFET小尺寸效应；FinFET泄漏电流；FinFET寄生电阻和寄生电容；FinFET工艺、器件和电路设计面临的主要挑战；FinFET器件紧凑模型，系统讲解FinFET器件电子学，介绍FinFET器件的结构、工作原理和模型等。
统一题名：FinFET devices for VLSI circuits and systems
中图分类号：TN405
责任者：萨哈 ((Saha, Samar K.)) 著 丁扣宝 译
-
评分：
-
加入暂存架
豆瓣内容简介：
集成电路已进入纳米世代，为了应对集成电路持续缩小面临的挑战，鳍式场效应晶体管（FinFET）应运而生，它是继续缩小和制造集成电路的有效替代方案。《纳米集成电路FinFET器件物理与模型》讲解FinFET器件电子学，介绍FinFET器件的结构、工作原理和模型等。 《纳米集成电路FinFET器件物理与模型》主要内容有：主流MOSFET在22nm节点以下由于短沟道效应所带来的缩小限制概述；基本半导体电子学和pn结工作原理；多栅MOS电容器系统的基本结构和工作原理；非平面CMOS工艺中的FinFET器件结构和工艺技术；FinFET基本理论；FinFET小尺寸效应；FinFET泄漏电流；FinFET寄生电阻和寄生电容；FinFET工艺、器件和电路设计面临的主要挑战；FinFET器件紧凑模型。 《纳米集成电路FinFET器件物理与模型》内容详实，器件物理概念清晰，数学推导详尽严谨。《纳米集成电路FinFET器件物理与模型》可作为高等院校微电子学与固体电子学、电子科学与技术、集成电路科学与工程等专业的高年级本科生和研究生的教材和参考书，也可供相关领域的工程技术人员参考。
豆瓣作者简介：
