| 字段 | 字段内容 |
|---|---|
| 001 | 01h1317601 |
| 005 | 20231113144833.0 |
| 010 | $a: 978-7-111-69481-6$d: CNY119.00 |
| 100 | $a: 20220308d2022 em y0chiy50 ea |
| 101 | $a: chi$c: eng |
| 102 | $a: CN$b: 110000 |
| 105 | $a: ak a 000yy |
| 106 | $a: r |
| 200 | $a: 纳米集成电路FinFET器件物理与模型$A: na mi ji cheng dian lu FinFET qi jian wu li yu mo xing$f: (美) 萨马·K. 萨哈著$g: 丁扣宝译 |
| 210 | $a: 北京$c: 机械工业出版社$d: 2022 |
| 215 | $a: xiii, 238页$c: 图$d: 24cm |
| 225 | $a: 集成电路科学与工程丛书$A: ji cheng dian lu ke xue yu gong cheng cong shu |
| 306 | $a: Taylor & Francis出版集团旗下，CRC出版公司授权出版 限中国大陆发行 |
| 312 | $a: 书名原文取自版权页 |
| 320 | $a: 有书目 |
| 330 | $a: 本书主要内容有：主流MOSFET在22nm节点以下由于短沟道效应所带来的缩小限制概述；基本半导体电子学和pn结工作原理；多栅MOS电容器系统的基本结构和工作原理；非平面CMOS工艺中的FinFET器件结构和工艺技术；FinFET基本理论；FinFET小尺寸效应；FinFET泄漏电流；FinFET寄生电阻和寄生电容；FinFET工艺、器件和电路设计面临的主要挑战；FinFET器件紧凑模型，系统讲解FinFET器件电子学，介绍FinFET器件的结构、工作原理和模型等。 |
| 410 | $1: 2001 $a: 集成电路科学与工程丛书 |
| 500 | $1: 0$a: FinFET devices for VLSI circuits and systems$m: Chinese |
| 606 | $a: 纳米材料$A: na mi cai liao$x: 集成电路工艺$x: 系统建模 |
| 690 | $a: TN405$v: 5 |
| 701 | $a: 萨哈$A: sa ha$g: (Saha, Samar K.)$4: 著 |
| 702 | $a: 丁扣宝$A: ding kou bao$4: 译 |
| 801 | $a: CN$b: BUCTL$c: 20231113 |
| 905 | $d: TN405$r: CNY119.00$e: 20$a: BUCTLIB |
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