/褚君浩著
ISBN/ISSN:978-7-03-014414-0 精装
价格:CNY198.00
出版:北京 :科学出版社 ,2005.03
载体形态:xiii, 934页 :图 ;25cm
丛编:华夏英才基金学术文库
简介:本书主要讨论窄禁带半导体的基本物理性质, 包括晶体生长、能带结构、光学性质、晶格振动、自由载流子的激发、运输和复合、杂质缺陷、表面界面等。
中图分类号:O47
责任者:褚君浩 著
豆瓣内容简介:
《窄禁带半导体物理学》主要讨论窄禁带半导体的基本物理性质,包括晶体生长,能带结构,光学性质,晶格振动,自由载流子的激发、运输和复合,杂质缺陷,表面界面,二维电子气,超晶格和量子阱,器件物理和应用等方面的基本物理现象、效应和规律以及近年来的主要研究进展。在窄禁带半导体物理研究过程中建立的新型实验方法及器件应用也在书中有所介绍。
豆瓣作者简介:
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