| 字段 | 字段内容 |
|---|---|
| 001 | 01h0059098 |
| 005 | 20131225111527.0 |
| 010 | $a: 978-7-03-014414-0$b: 精装$d: CNY198.00 |
| 100 | $a: 20131028d2005 em y0chiy50 ea |
| 101 | $a: chi |
| 102 | $a: CN$b: 110000 |
| 105 | $a: ak a 000yy |
| 106 | $a: r |
| 200 | $a: 窄禁带半导体物理学$A: zhai jin dai ban dao ti wu li xue$f: 褚君浩著 |
| 210 | $a: 北京$c: 科学出版社$d: 2005.03 |
| 215 | $a: xiii, 934页$c: 图$d: 25cm |
| 225 | $a: 华夏英才基金学术文库$A: hua xia ying cai ji jin xue shu wen ku$i: 半导体科学与技术丛书 |
| 320 | $a: 有书目 |
| 330 | $a: 本书主要讨论窄禁带半导体的基本物理性质, 包括晶体生长、能带结构、光学性质、晶格振动、自由载流子的激发、运输和复合、杂质缺陷、表面界面等。 |
| 410 | $1: 2001 $a: 华夏英才基金学术文库$i: 半导体科学与技术丛书 |
| 606 | $a: 半导体物理学$A: ban dao ti wu li xue |
| 690 | $a: O47$v: 5 |
| 701 | $a: 褚君浩$A: chu jun hao$4: 著 |
| 801 | $a: CN$b: BUCTL$c: 20131225 |
| 905 | $a: BUCTL$d: O47$r: CNY198.00$e: 28 |
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