| 字段 | 字段内容 |
|---|---|
| 001 | 01h0099342 |
| 005 | 20170609134129.0 |
| 010 | $a: 978-7-308-15746-9$d: CNY29.00 |
| 100 | $a: 20161009d2016 em y0chiy50 ea |
| 101 | $a: chi |
| 102 | $a: CN$b: 330000 |
| 105 | $a: a a 000yy |
| 106 | $a: r |
| 200 | $a: 宽禁带化合物半导体材料与器件$A: kuan jin dai hua he wu ban dao ti cai liao yu qi jian$d: = Wide band gap compound semiconductor materials and devices$f: 朱丽萍, 何海平编著$z: eng |
| 210 | $a: 杭州$c: 浙江大学出版社$d: 2016 |
| 215 | $a: 185页$c: 图$d: 26cm |
| 225 | $a: 高等院校材料专业系列规划教材$A: gao deng yuan xiao cai liao zhuan ye xi lie gui hua jiao cai$i: 材料科学与工程 |
| 320 | $a: 有书目 |
| 330 | $a: 本书共9章，主要内容为：绪论；化合物半导体材料基础；化合物半导体中的缺陷；宽带隙半导体发光；化合物半导体器件基本原理，包括pn结、超晶格与量子阱；宽带隙化合物半导体材料及其器件的应用，主要介绍SiC、ZnO和GaN的研究现状。 |
| 410 | $1: 2001 $a: 高等院校材料专业系列规划教材$i: 材料科学与工程 |
| 510 | $a: Wide band gap compound semiconductor materials and devices$z: eng |
| 606 | $a: 禁带$A: jin dai$x: 化合物半导体$x: 半导体器件$x: 高等学校$j: 教材 |
| 690 | $a: TN304.2$v: 5 |
| 701 | $a: 何海平$A: he hai ping$4: 编著 |
| 801 | $a: CN$b: BUCTL$c: 20170609 |
| 905 | $d: TN304.2$r: CNY29.00$e: 17 |
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