| 字段 | 字段内容 |
|---|---|
| 001 | 01h0074779 |
| 005 | 20150610143859.0 |
| 010 | $a: 978-7-308-13910-6$d: CNY36.00 |
| 100 | $a: 20150309d2014 em y0chiy50 ea |
| 101 | $a: chi |
| 102 | $a: CN$b: 330000 |
| 105 | $a: ak a 000yy |
| 106 | $a: r |
| 200 | $a: 半导体薄膜技术与物理$A: ban dao ti bao mo ji shu yu wu li$d: = Physics and technology of semiconductor thin films$f: 叶志镇 ... [等] 编著$z: eng |
| 205 | $a: 第2版 |
| 210 | $a: 杭州$c: 浙江大学出版社$d: 2014 |
| 215 | $a: 237页$c: 图$d: 26cm |
| 225 | $a: 高等院校材料专业系列规划教材$A: gao deng yuan xiao cai liao zhuan ye xi lie gui hua jiao cai |
| 300 | $a: “十二五”普通高等教育本科国家级规划教材 |
| 303 | $a: 本书据2014年第4次印刷本著录 |
| 304 | $a: 题名页题: 叶志镇, 吕建国, 吕斌, 张银珠编著 |
| 314 | $a: 叶志镇 (1955-)，男，生于浙江温州，博导，现为浙江大学材料科学与工程学系系主任。发表SCI收录论文400余篇。 |
| 320 | $a: 有书目 (第233-237页) |
| 330 | $a: 本书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延等，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 |
| 333 | $a: 本书可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 |
| 410 | $1: 2001 $a: 高等院校材料专业系列规划教材 |
| 510 | $a: Physics and technology of semiconductor thin films$z: eng |
| 606 | $a: 半导体薄膜技术$A: ban dao ti bao mo ji shu$x: 高等学校$j: 教材 |
| 690 | $a: TN304.05$v: 4 |
| 701 | $a: 叶志镇,$A: ye zhi zhen$f: 1955-$4: 编著 |
| 801 | $a: CN$b: BUCTL$c: 20150610 |
| 905 | $d: TN304.05$r: CNY36.00$e: 6 |
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