| 字段 | 字段内容 |
|---|---|
| 001 | 01h0057616 |
| 005 | 20131105141456.0 |
| 010 | $a: 978-7-121-20680-1$d: CNY42.00 |
| 100 | $a: 20130830d2013 em y0chiy50 ea |
| 101 | $a: chi |
| 102 | $a: CN$b: 110000 |
| 105 | $a: ak a 000yy |
| 106 | $a: r |
| 200 | $a: 集成电路制造技术$A: ji cheng dian lu zhi zao ji shu$e: 原理与工艺$f: 王蔚, 田丽, 任明远编著 |
| 205 | $a: 修订版 |
| 210 | $a: 北京$c: 电子工业出版社$d: 2013.07 |
| 215 | $a: XII, 356页$c: 图$d: 26cm |
| 300 | $a: 电子科学与技术类专业精品教材 |
| 312 | $a: 英文题名取自封面 |
| 320 | $a: 有书目 (第355-356页) |
| 330 | $a: 本书分5个单元系统地介绍了当前硅集成电路制造普遍采用的工艺技术。第1单元介绍硅衬底, 主要介绍硅单晶的结构特点, 单晶硅锭的拉制, 硅片 (包含体硅片和外延硅片) 的制造工艺及相关理论。第2-5单元介绍硅芯片制造基本单项工艺 (氧化与掺杂、薄膜制备、光刻、工艺集成与封装测试) 的原理、方法、设备, 以及所依托的技术基础及发展趋势。 |
| 510 | $a: Integrated circuit manufacturing technology, principles and methodology$z: eng |
| 606 | $a: 集成电路工艺$A: ji cheng dian lu gong yi$j: 教材 |
| 690 | $a: TN405$v: 5 |
| 701 | $a: 任明远$A: ren ming yuan$4: 编著 |
| 801 | $a: CN$b: BUCTL$c: 20131105 |
| 905 | $a: BUCTL$d: TN405$r: CNY42.00$e: 6:2 |
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