| 字段 | 字段内容 |
|---|---|
| 001 | 0100070103 |
| 005 | 20090623150307.0 |
| 010 | $a: 978-7-308-06617-4$d: CNY36.00 |
| 100 | $a: 20090507d2008 em y0chiy50 ea |
| 101 | $a: chi |
| 102 | $a: CN$b: 330000 |
| 105 | $a: ak a 000yy |
| 106 | $a: r |
| 200 | $a: 半导体薄膜技术与物理$A: ban dao ti bao mo ji shu yu wu li$d: = Physics and technology of semiconductor thin films$f: 叶志镇 ... [等] 编著$z: eng |
| 210 | $a: 杭州$c: 浙江大学出版社$d: 2008 |
| 215 | $a: 278页$c: 图$d: 24cm |
| 304 | $a: 题名页题其余责任者: 吕建国, 吕斌, 张银珠。 |
| 320 | $a: 有书目 |
| 330 | $a: 本书全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至八章分别介绍了蒸发、化学气相沉积、液相外延等，第九章介绍了半导体超晶格和量子阱，第十章为半导体器件制备技术。 |
| 510 | $a: Physics and technology of semiconductor thin films$z: eng |
| 606 | $a: 半导体薄膜技术$A: ban dao ti bo mo ji shu |
| 690 | $a: TN304.05$v: 4 |
| 701 | $a: 张银珠$A: zhang yin zhu$4: 编著 |
| 801 | $a: CN$b: CEPC1$c: 20090508 |
| 905 | $a: BUCTL$b: C857764-6$r: CNY36.00$d: TN304.05$e: 3 |
| 999 | $a: ygz$b: 3$e: 200937 |
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