字段 | 字段内容 |
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001 | 0100065042 |
005 | 20090303155004.0 |
010 | $a: 978-7-5605-2596-9$d: CNY76.00 |
100 | $a: 20080813d2008 ekmy0chiy0120 ea |
101 | $a: chi$c: eng |
102 | $a: CN$b: 610100 |
105 | $a: ak z 000yy |
106 | $a: r |
200 | $a: 半导体器件物理$A: ban dao ti qi jian wu li$第: 3 版$d: Physics of semiconductor devices : Third edition$f: (美)施敏,(美)伍国珏著$g: 耿莉,张瑞智译$z: eng |
210 | $a: 西安$c: 西安交通大学出版社$d: 2008.6 |
215 | $a: 4, 598页$c: 图$d: 26cm |
225 | $a: 国外名校最新教材精选 |
306 | $a: 本书中文简体字翻译版由本书著作权人施敏先生和伍国珏先生授权西安交通大学出版社独家出版发行。 |
314 | $a: 伍国珏,1979年获哥伦比亚大学电气工程专业博士学位,1975年获罗格斯大学电气工程专业学士学位。他是《半导体器件完全指导》第2版的作者。 |
330 | $a: 本书是一本高等学校半导体器件教材。主要内容包括:半导体物理、器件的基本构件、晶体管、负阻器件和功率器件、光学器件和传感器等。 |
333 | $a: 半导体器件研究人员、高等院校相关师生及相关读者。 |
410 | $1: 2001 $a: 国外名校最新教材精选 |
510 | $a: Physics of semiconductor devices$e: Third edition$z: eng |
606 | $a: 半导体器件$x: 半导体物理学$j: 教材 |
690 | $a: TN303$v: 4 |
701 | $a: 伍国珏$A: wu guo jue$4: 著 |
702 | $a: 张瑞智$A: zhang rui zhi$4: 译 |
801 | $a: CN$b: XHSD$c: 20080813 |
905 | $a: BUCTL$b: C843576-7$r: CNY76.$d: TN303$e: 20:3 |
999 | $a: sl$b: 2$e: 200902 |
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