豆瓣内容简介：

《半导体器件物理》（第3版）这本经典著作在半导体器件领域已经树立起了先进的学习和参考典范。此书的第3版保留了重要半导体器件的最为详尽的知识内容，并做了更新和重新组织，反映了当今器件在概念和性能等方面的巨大进展，它可以使读者快速地了解当今半导体物理和所有主要器件，如双极、场效应、微波、光子器件和传感器的性能特点。《半导体器件物理》（第3版）专为研究生教材和参考所需设计，新版本包括：以最新进展进行了全面更新；包括了对三维MOSFET、MODFET、共振隧穿二极管、半导体传感器、量子级联激光器、单电子晶体管、实空间转移器件等新型器件的叙述；对内容进行了重新组织和安排；各章后面配备了习题；重新高质量地制作了书中的所有插图。

豆瓣作者简介：

施敏（Simon M·Sze） 美国籍，微电子科学技术、半导体器件物理专业，台湾交通大学电子工程学系毫微米元件实验室教授，美国工程院院士。1936年出生。1957年毕业于台湾大学。1960年、1963年分别获得华盛顿大学和斯坦福大学硕士与博士学位。
施敏博士是国际知名的微电子科学技术与半导体器件专家和教育家。他是非挥发MOS场效应记忆晶体管（MOSFET）的发明者，这项发明已成为世界集成电路产业主导产品之一，90年代初其产值已达100亿美元。此外，他还有多项创造性成果，如80年代初首先以电子束制造出线宽为0.15μm MOSFET器件，首先发现崩溃电压与能隙的关系，建立了微电子元件最高电场的指标，如此等等。
施敏博士在微电子科学技术著作方面举世闻名，对半导体元件的发展和人才培养方面，作出贡献。他的三本专著已在我国翻译出版，其中《Physics of Semiconductor Devices》已翻译成六国文字，发行量逾百万册；他的著作广泛用作教科书与参考书。由于他在微电子器件及在人才培养方面的贡献，先后被选为台湾中央研究院院士和美国国家工程院院士；1991年他得到IEEE电子器件的最高荣誉奖（Ebers奖），称他在电子元件领域做出了基础性及前瞻性贡献。
施敏博士多次来国内讲学，参加我国微电子器件研讨会；他对台湾微电子产业的发展，曾提出过有份量的建议。他曾一再表示愿为我国微电子产业的发展提供咨询。
1998年6月当选为中国工程院外籍院士。

目录：

• 馆藏信息
• 课程参考书
• 其他电子资源
• 附件信息

分馆名	馆藏部门	图书条码	索书号	登录号	架位导航	卷期	状态
A	昌平馆科技图书区（三层）	C843576	TN303/20:3	C843576	架位导航		在架可借
A	东区馆中文图书阅览区（二层）	C843577	TN303/20:3	C843577	架位导航		在架可借

• :: 装订刊信息 ::

序号	图书条码	索书号	登录号	藏书部门	流通状态	年卷期	装订册	装订方式	装订颜色

类型

说明

URL

• 借阅本书的人还借过
• 收藏本书的人还收藏过
• 查看本书的人还查看过
• 同名作者的其他著作

评 论

评分：

发表

• 豆瓣相关资源
• 当当相关资源

• 半导体器件原理与技术
• 半导体器件物理学习与考研指导
• 国外高压大功率半导体元件
• 半导体器件物理基础