| 字段 | 字段内容 |
|---|---|
| 001 | 01h1342383 |
| 005 | 20231201092905.0 |
| 010 | $a: 978-7-122-43276-6$b: 精装$d: CNY198.00 |
| 100 | $a: 20230823d2023 em y0chiy50 ea |
| 101 | $a: chi$c: ger |
| 102 | $a: CN$b: 110000 |
| 105 | $a: a a 000yy |
| 106 | $a: r |
| 200 | $a: 半导体先进光刻理论与技术$A: ban dao ti xian jin guang ke li lun yu ji shu$f: (德) 安德里亚斯·爱德曼著$d: = Optical and EUV lithography: a modeling perspective$f: Andreas Erdmann$g: 李思坤译$z: eng |
| 210 | $a: 北京$c: 化学工业出版社$d: 2023 |
| 215 | $a: 304页$c: 图 (部分彩图)$d: 24cm |
| 300 | $a: 芯科技 |
| 320 | $a: 有书目 |
| 330 | $a: 本书是半导体先进光刻领域的综合性著作, 介绍了当前主流的光学光刻、先进的极紫外光刻以及下一代光刻技术。主要内容涵盖光刻理论、工艺、材料、设备、关键部件、分辨率增强、建模与仿真、典型物理与化学效应等 ; 介绍了光刻技术的前沿进展, 还总结了极紫外光刻的特点、存在问题与发展方向。书中融入了作者对光刻技术的宝贵理解与认识, 是作者多年科研与教学经验的结晶。 |
| 510 | $a: Optical and EUV lithography: a modeling perspective$z: eng |
| 606 | $a: 半导体光电器件$A: ban dao ti guang dian qi jian$x: 光刻设备$x: 研究 |
| 690 | $a: TN305.7$v: 5 |
| 701 | $a: 爱德曼$A: ai de man$g: (Erdmann, Andreas)$4: 著 |
| 702 | $a: 李思坤$A: li si kun$4: 译 |
| 801 | $a: CN$b: BUCTL$c: 20231116 |
| 905 | $d: TN305.7$r: CNY198.00$e: 8 |
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