| 字段 | 字段内容 |
|---|---|
| 001 | 01h1231256 |
| 005 | 20210908155625.0 |
| 010 | $a: 978-7-03-067440-1$d: CNY150.00 |
| 100 | $a: 20210331d2021 em y0chiy50 ea |
| 101 | $a: chi |
| 102 | $a: CN$b: 110000 |
| 105 | $a: ak a 000yy |
| 106 | $a: r |
| 200 | $a: 宽禁带半导体电子材料与器件$A: kuan jin dai ban dao ti dian zi cai liao yu qi jian$f: 沈波, 唐宁编著 |
| 210 | $a: 北京$c: 科学出版社$d: 2021 |
| 215 | $a: xi, 316页$c: 图$d: 24cm |
| 225 | $a: 先进功能材料丛书$A: xian jin gong neng cai liao cong shu |
| 312 | $a: 英文并列题名取自封面 |
| 320 | $a: 有书目 |
| 330 | $a: 本书介绍了Ⅲ族氮化物、SiC、金刚石和Ga2O3四种最重要的宽禁带半导体电子材料和器件，从晶体结构、能带结构、衬底材料、外延生长、射频电子器件和功率电子器件等方面论述了其基础物理性质、面临的关键科学技术问题、国内外前沿研究成果和应用前景。 |
| 410 | $1: 2001 $a: 先进功能材料丛书 |
| 510 | $a: Electronic materials and devices of wide band gap semiconductors$z: eng |
| 606 | $a: 禁带$A: jin dai$x: 电子器件 |
| 690 | $a: TN103$v: 5 |
| 701 | $a: 唐宁$A: tang ning$4: 编著 |
| 801 | $a: CN$b: BUCTL$c: 20210908 |
| 905 | $d: TN304$r: CNY150.00$e: 39$a: BUCTLIB |
北京创讯未来软件技术有限公司 版权所有 ALL RIGHTS RESERVED 京ICP备 09032139
欢迎第31874306位用户访问本系统