| 字段 | 字段内容 |
|---|---|
| 001 | 01h0066500 |
| 005 | 20141125142821.0 |
| 010 | $a: 978-7-5672-0554-3$d: CNY65.00 |
| 100 | $a: 20140506d2014 em y0chiy50 ea |
| 101 | $a: chi$c: eng |
| 102 | $a: CN$b: 320000 |
| 105 | $a: ak a 001yy |
| 106 | $a: r |
| 200 | $a: 半导体器件物理与工艺$A: ban dao ti qi jian wu li yu gong yi$d: = Semiconductor devices physics and technology$f: (美) 施敏, 李明逵著$g: 王明湘, 赵鹤鸣译$z: eng |
| 210 | $a: 苏州$c: 苏州大学出版社$d: 2014.04 |
| 215 | $a: 558页$c: 图$d: 26cm |
| 305 | $a: 据原书第3版译出 |
| 320 | $a: 有书目和索引 |
| 330 | $a: 本书介绍了现代半导体器件的物理原理和其先进的制造工艺技术, 主要内容包括: 能带和热平衡载流子浓度、载流子输运现象等。 |
| 500 | $1: 0$a: Semiconductor devices physics and technology$m: Chinese |
| 606 | $a: 半导体工艺$A: ban dao ti gong yi$x: 高等教育$j: 教材 |
| 690 | $a: TN303$v: 5 |
| 701 | $a: 李明逵$A: li ming kui$4: 著 |
| 702 | $a: 赵鹤鸣$A: zhao he ming$4: 译 |
| 801 | $a: CN$b: BUCTL$c: 20141113 |
| 905 | $d: TN303$r: CNY65.00$e: 29 |
北京创讯未来软件技术有限公司 版权所有 ALL RIGHTS RESERVED 京ICP备 09032139
欢迎第37432400位用户访问本系统