| 字段 | 字段内容 |
|---|---|
| 001 | 01h0051062 |
| 005 | 20130427104225.0 |
| 010 | $a: 978-7-121-18850-3$d: CNY59.00 |
| 100 | $a: 20121226d2013 em y0chiy50 ea |
| 101 | $a: chi$c: eng |
| 102 | $a: CN$b: 110000 |
| 105 | $a: ak a 000yy |
| 106 | $a: r |
| 200 | $a: 半导体制造技术导论$A: ban dao ti zhi zao ji shu dao lun$d: = Introduction to semiconductor manufacturing technology$f: (美) 萧宏著$g: 杨银堂, 段宝兴译$z: eng |
| 210 | $a: 北京$c: 电子工业出版社$d: 2013 |
| 215 | $a: 20, 459页$c: 图$d: 26cm |
| 225 | $a: 国外电子与通信教材系列$A: guo wai dian zi yu tong xin jiao cai xi lie |
| 305 | $a: 据原书第2版译出 |
| 306 | $a: 本书中文简体字翻译版由Hong Xiao授予电子工业出版社 |
| 314 | $a: 段宝兴 (1977-)，男，陕西省大荔县人，博士，教授。分别于2000年和2004年获哈尔滨理工大学材料物理与化学专业学士和硕士学位，2007年获电子科技大学微电子学与固体电子学博士学位。先后在国际国内重要期刊上发表论文40余篇，其中30余篇次被SCI、EI检索。 |
| 320 | $a: 有书目 |
| 330 | $a: 本书共包括15章：第1章概述了半导体制造工艺；第2章介绍了基本的半导体工艺技术；第3章介绍了半导体器件、集成电路芯片，以及早期的制造工艺技术；第4章描述了晶体结构、单晶硅晶圆生长，以及硅外延技术；第5章讨论了半导体工艺中的加热过程；第6章详细介绍了光学光刻工艺；第7章讨论了半导体制造过程中使用的等离子体理论；第8章讨论了离子注入工艺；第9章详细介绍了刻蚀工艺；第10章介绍了基本的化学气相沉积 (CVD) 和电介质薄膜沉积工艺，以及多孔低k电介质沉积、气隙的应用、原子层沉积 (ALD) 工艺过程；第11章介绍了金属化工艺；第12章讨论了化学机械研磨 (CMP) 工艺；第13章介绍了工艺整合；第14章介绍了先进的CMOS、 DRAM和NAND闪存工艺流程；第15章总结了本书和半导体工业未来的发展。 |
| 333 | $a: 本书适合作为高等院校微电子技术专业的教材，也可作为从事半导体制造与研究人员的参考书及公司培训员工的标准教材。 |
| 410 | $1: 2001 $a: 国外电子与通信教材系列 |
| 510 | $a: Introduction to semiconductor manufacturing technology$z: eng |
| 606 | $a: 半导体工艺$A: ban dao ti gong yi$j: 教材 |
| 690 | $a: TN305$v: 4 |
| 701 | $a: 萧宏$A: xiao hong$4: 著 |
| 702 | $a: 段宝兴,$A: duan bao xing$f: 1977-$4: 译 |
| 801 | $a: CN$b: BUCTL$c: 20130427 |
| 905 | $a: BUCTL$d: TN305$r: CNY59.00$e: 18 |
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