| 字段 | 字段内容 |
|---|---|
| 001 | 01h0019084 |
| 005 | 20101109134450.0 |
| 010 | $a: 978-7-03-028708-3$b: 精装$d: CNY120.00 |
| 100 | $a: 20100919d2010 ekmy0chiy0120 ea |
| 101 | $a: chi |
| 102 | $a: CN$b: 110000 |
| 105 | $a: ak a 000yy |
| 106 | $a: r |
| 200 | $a: 晶体生长原理与技术$9: jing ti sheng zhang yuan li yu ji shu$d: Principle and technology of crystal growth$f: 介万奇编著$z: eng |
| 210 | $a: 北京$c: 科学出版社$d: 2010.9 |
| 215 | $a: Ⅺ, 740页$c: 图$d: 27cm |
| 300 | $a: 国家科学技术学术著作出版基金资助出版 |
| 320 | $a: 有书目 |
| 330 | $a: 本书分4篇探讨晶体生长的原理与技术。第一篇为晶体生长的基本原理，对晶体生长的热力学原理、动力学原理、界面过程、生长形态以及晶体生长初期的形核相关原理进行论述。第二篇为晶体生长的技术基础；第三篇为晶体生长技术；第四篇对晶体生长过程中缺陷的形成与控制和晶体的结构与性能表征方法进行论述。 |
| 333 | $a: 晶体生长科研人员及相关专业读者。 |
| 510 | $a: Principle and technology of crystal growth$z: eng |
| 606 | $a: 晶体生长 |
| 690 | $a: O78$v: 4 |
| 701 | $a: 介万奇$9: jie wan qi$4: 编著 |
| 801 | $a: CN$b: BUCTL$c: 20101109 |
| 905 | $a: BUCTLIB$d: O78$r: CNY120.00$e: 3 |
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