| 字段 | 字段内容 |
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| 001 | 01a0066535 |
| 005 | 20010308085929.0 |
| 010 | $d: CNY5.50 |
| 091 | $a: CN$b: 15290.167 |
| 100 | $a: 20010308d1986 emky0chiy0120 ea |
| 101 | $a: chi$c: eng |
| 102 | $a: CN$b: 110000 |
| 105 | $a: y z 000yy |
| 106 | $a: r |
| 200 | $a: 超大规模集成电路工艺原理$A: chao da gui mo ji cheng dian lu gong yi yuan li$e: 硅和砷化镓$E: Gui He Shen Hua Jia$f: (美)甘地(Ghandhi,S.K.)著$F: ( Mei ) Gan Di (Ghandhi,S.K.) Zhu$g: 章熙康等译$G: Zhang Xi Kang Deng Yi |
| 210 | $a: 北京$c: 电子工业出版社$d: 1986 |
| 215 | $a: 414页$d: 26cm |
| 300 | $a: 书名原文: Vlsi fabrication principles silicon and gallium Arsenide. |
| 510 | $a: Vlsi fabrication principles silicon and gallium arsenide |
| 606 | $a: 超大规模集成电路$x: 工艺学 |
| 610 | $a: 集成电路 |
| 690 | $a: TN47$v: 3 |
| 701 | $A: 1$a: Ghandhi$b: S.K.$4: 著 |
| 702 | $a: 王缨$A: wang ying$4: 译 |
| 801 | $a: CN$b: BUCTL |
| 905 | $a: BUCTL$b: 472068-72 $d: TN47$e: 31 |
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