| 字段 | 字段内容 |
|---|---|
| 001 | 0100069654 |
| 005 | $2: 0081217092010.0 |
| 010 | $a: 978-7-03-022117-9$b: 精装$d: CNY68.00 |
| 099 | $a: CAL 012008173518 |
| 100 | $a: 20081209d2008 ekmy0chiy0121 ea |
| 101 | $a: chi |
| 102 | $a: CN$b: 110000 |
| 105 | $a: ak a 000yy |
| 106 | $a: r |
| 200 | $a: 半导体自旋电子学$A: ban dao ti zi xuan dian zi xue$f: 夏建白, 葛惟昆, 常凯著 |
| 210 | $a: 北京$c: 科学出版社$d: 2008 |
| 215 | $a: 365页$c: 图$d: 25cm |
| 225 | $a: 半导体科学与技术丛书$A: ban dao ti ke xue yu ji shu cong shu |
| 306 | $a: 中国科学院科学出版基金资助出版 |
| 320 | $a: 有书目 |
| 330 | $a: 本书介绍了半导体自旋电子学的一些基本概念和国际国内的研究成果,其中包括:半导体中磁离子的性质、稀磁半导体中巨Zeeman分裂、铁磁半导体的居里温度、自旋极化电子的性质等。 |
| 410 | $1: 2001 $a: 半导体科学与技术丛书 |
| 606 | $a: 半导体$A: ban dao ti$x: 自旋$x: 电子学 |
| 690 | $a: O472$v: 4 |
| 701 | $a: 常凯$A: chang kai$4: 著 |
| 801 | $a: CN$b: NMU$c: 20081217 |
| 905 | $a: BUCTL$b: C855567-8$r: CNY68.$d: O472$e: 4 |
| 999 | $a: sl$b: 2$e: 200932 |
北京创讯未来软件技术有限公司 版权所有 ALL RIGHTS RESERVED 京ICP备 09032139
欢迎第108707328位用户访问本系统